Sic 破壊電界

絶縁破壊電界 03 MV cm-1. 絶縁破壊耐圧 ゲート近辺での電界強度が絶縁破壊電界Ecになる時 絶縁破壊がおきるとする 0 VB Pmin μ05 Ec 231 f 05 Irms V B 15 SiSiCGaNの材料に対して計算する.

新機能ワイドギャップ半導体材料の開拓 Ntt R D Website

次世代パワー半導体 Gan Sicへの取り組み サンケン電気

材料から回路 応用まで全レイヤーの協力で新sicパワーデバイスを開発 研究開発 日立

熱伝導率 15 W cm-1 K-1.

Sic 破壊電界. 電界がこの絶縁破壊電界を超えないようにする必要 があるそのために図1のように厚みのある低濃 度ドーピングした半導体層を用意する低濃度ドー ピング層には空乏層が広がりやすいので外部から の印加電圧を厚い層に分散させて最大電界強度を. SiC シリコンカーバイド はシリコン Si と炭素 C で構成される化合物半導体材料です 絶縁破壊電界強度がSiの10倍バンドギャップが3倍と優れているだけでなくデバイス作製に必要なp型n型の制御が広い範囲で可能であることなどからSiの限界を超えるパワーデバイス用. ワイドギャップ半導体であるSiCは絶縁破壊電界が3 106 VcmでありSiに比べほぼ一桁高い電界に耐えるこ とができるためドリフト層の厚さをSiより一桁薄くする ことができるつまりSiCは低オン抵抗の半導体スイッ.

Okumura JJAP 45 2006 pp. ワイドバンドギャップ半導体は格子定数が小さく原子間の結合力が大きくなりますこれにより絶縁破壊強度熱伝導度などが高くなります 4H-SiCはバンドギャップが326eV絶縁破壊電界強度はSiの310 5 に対し2810 6 と非常に大きな値になっています. 電子移動度 1350 cm2 V-1 s-1.

SiC内部の最大電界強度はデバイスの最外周部で35 MVcmとなりSiCの絶縁破壊電界である25 MVcmを 超えてしまうしかしガードリングを設けることでSiC 内部の電界強度が最大でも20 MVcmと低くなり 1200 Vの耐圧を維持できていることがわかる. Sicを パワーデバイスに適用した場合Sicの 耐絶縁破壊電界強度がSiに 比べ10 倍優れているためSiデ バイスよりも大電圧を印加することが可能になるこれより 通電状態での抵抗値をSiデ バイスより約二桁下げることが可能となるJ6 またSic. 革新的なSiCパワーモジュールで低炭素社会の実現と豊かな生活の両立に貢献してまいります InnovativePowerDevices foraSustainableFuture 優れた特性を持つSiC SiCはシリコンに比べて絶縁破壊電界強度が約10倍高いことから電気抵抗の主.

ギャップ半導体であるGaNはSiC炭化シリコンと同 様にSiと比較してバンドギャップが約3倍大きく絶縁 破壊電界は1桁大きいオン抵抗の材料限界は絶縁破壊電 界の3乗に反比例するためGaNデバイスでは理論上Si限 界の約3桁の低オン抵抗化が期待. Although silicon Si power devices have been commonly used the adoption of silicon carbide SiC power devices which are more power efficient than Si devices have been accelerating. れているこれらの材料は絶縁破壊電界強度ECがSiより 1 まえがき 49 40105 30105 正孔移動度μh cm2Vs 600 電子移動度μe cm2Vs 2200 900 1000850 80400 800 8500 1400 材 料 ダイヤモンド GaN 4H-SiC 6H-SiC 3C-SiC GaAs Si バンドギャップ eV 547 339 326 293 223 143 112.

Against this backdrop we have. 筑波大学パワーエレクトロニクス研究室の研究内容について紹介します具体的な研究テーマについては研究活動の進展にともなって随時執筆していく予定ですこのページでは研究の背景を紹介します SiCパワーデバイス パワーデバイスとは パワーデバイスとは交流や直流を各機器に. SiCではSiと比較して絶縁破壊電界強度が約10倍高いこ とから耐圧を決めているドリフト層のドーピング濃度の高 濃度化や膜厚の薄膜化が可能でSiよりも低抵抗のデバイ スが実現できるしかしながら素子周辺部の耐圧終端構.

ワイドギャップ半導体sic Gan電子デバイス Semicon Lab

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研究発表 スライド

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